P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5廓

文件：211.84 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm

文件：176.24 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5廓

文件：211.84 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel QFET짰 -150V, -3A, 1.5廓

文件：311.62 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P 沟道，QFET® MOSFET，-150V，-3A，1.5Ω

这些P沟道MOSFET增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。 • VGS = -10V，ID = -1.5A时，最大rDS(on) = 1.5Ω\n•低Crss（典型值10pF）\n•快速开关\n•低栅极电荷（典型值6.2 nC）\n•可提高dv/dt处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体