FDMC2523P中文资料P 沟道，QFET® MOSFET，-150V，-3A，1.5Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些P沟道MOSFET增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性 Features

• VGS = -10V，ID = -1.5A时，最大rDS(on) = 1.5Ω
•低Crss（典型值10pF）
•快速开关
•低栅极电荷（典型值6.2 nC）
•可提高dv/dt处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.