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FDMC2523P中文资料P 沟道,QFET® MOSFET,-150V,-3A,1.5Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC2523P

功能描述

P 沟道,QFET® MOSFET,-150V,-3A,1.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-27 11:08:00

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FDMC2523P规格书详情

描述 Description

这些P沟道MOSFET增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性 Features

• VGS = -10V,ID = -1.5A时,最大rDS(on) = 1.5Ω
•低Crss(典型值10pF)
•快速开关
•低栅极电荷(典型值6.2 nC)
•可提高dv/dt处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC2523P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-150

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :-5

  • ID Max (A)

    :-3

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.2

  • Ciss Typ (pF)

    :200

  • Package Type

    :WDFN-8

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