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FDMB2308PZ中文资料双共漏极 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-7A，36mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMB2308PZ规格书详情
描述 Description
此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 它包含两个共用漏极P沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2308PZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。
特性 Features
•最大值 rS1S2(on) = 36 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -5.7 A时）
•最大值 rS1S2(on) = 50 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -4.6 A时）
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
•HBM静电放电保护等级为2.8kV（注3）
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 手机
技术参数
- 制造商编号
：FDMB2308PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-7
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=50
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=36
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：2280
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
MLP-6 |
32360 |
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FAIRCHILD |
14+ |
DFN-6 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON/安森美 |
25+ |
QFN |
880000 |
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NA |
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onsemi(安森美) |
24+ |
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24+ |
DFN |
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onsemi |
25+ |
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onsemi/安森美 |
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NA |
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