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FDMB2307NZ中文资料双共漏极，N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，9.7A，16.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMB2307NZ规格书详情
描述 Description
此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 它包含两个共用漏极N沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2307NZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。.
特性 Features
•在VGS = 4.5V且ID = 8 A时，最大值rS1S2(on) = 16.5 mΩ
•在VGS = 4.2 V且ID = 7.4 A时，最大值rS1S2(on) = 18 mΩ
•在VGS = 3.1 V且ID = 7 A时，最大值rS1S2(on) = 21 mΩ
•在VGS = 2.5 V且ID = 6.7 A时，最大值rS1S2(on) = 24 mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
•HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
•符合RoHS标准
应用 Application
• 手机
技术参数
- 制造商编号
：FDMB2307NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：9.7
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=24
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=16.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：1760
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ON/ |
24+ |
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5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
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25+ |
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