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FDMB2307NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMB2307NZ

功能描述

双共漏极,N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,9.7A,16.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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FDMB2307NZ规格书详情

描述 Description

此器件特别设计为一个单封装解决方案,以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 它包含两个共用漏极N沟道MOSFET,双向电流,采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造,具有最先进的MicroFET引脚架构,FDMB2307NZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。.

特性 Features

•在VGS = 4.5V且ID = 8 A时,最大值rS1S2(on) = 16.5 mΩ
•在VGS = 4.2 V且ID = 7.4 A时,最大值rS1S2(on) = 18 mΩ
•在VGS = 3.1 V且ID = 7 A时,最大值rS1S2(on) = 21 mΩ
•在VGS = 2.5 V且ID = 6.7 A时,最大值rS1S2(on) = 24 mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
•HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• 手机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMB2307NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :9.7

  • PD Max (W)

    :2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=24

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=16.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :1760

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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