FDMA86251中文资料单 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，2.4A，175mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA86251规格书详情
描述 Description
该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 9.9 mΩ（VGS= 10 V, ID = 10.4 A 时）
• 最大值 rDS(on) = 237 mΩ（VGS = 6 V, ID = 2.0 A 时）
•薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
•无卤素化合物和锑氧化物
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA86251
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.4
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：175
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：3.4
- Ciss Typ (pF)
：259
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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