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FDMA86108LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMA86108LZ

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,2.2A,243mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:12:00

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FDMA86108LZ规格书详情

描述 Description

该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 243 mΩ(VGS = 10 V、ID = 2.2 A时)
• 最大 rDS(on) = 366 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A时)
•薄型 – 最大 0.8 mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
•无卤代化合物和氧化锑
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA86108LZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :2.2

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :366

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :243

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.1

  • Ciss Typ (pF)

    :116

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
WDFN-6
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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WDFN6
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