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FDMA6676PZ中文资料单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，13.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA6676PZ规格书详情
描述 Description
此设备是超低电阻的 P 沟道 FET。 它专为电源线负载开关应用和反接保护而设计。 它专为爬高至 25V 的电压轨优化。 典型的终端系统包括笔记本电脑、平板电脑和手机。 应用包括电池保护、输入电力线路保护和充电路径保护，其中包括 USB 和其他充电路径。 FDMA6676PZ 具有 25V 的增强 VGS 额定值，专门用于简化安装。 当用作反极性保护，并将栅极接地且漏极连接到 V 输入时，它专门用来支持操作输入电压，可高达 25 V，而无需在栅极上进行外部齐纳保护。 其较小的 2x2x0.8 外形尺寸使其成为移动和空间受限应用的理想选择。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 13.5 mΩ @ VGS = -10 V
• 25V VGS 扩展运行额定值
• 30V VDS 阻塞
• 2x2mm 外形尺寸
• 薄型 - 0.8 mm 最大值
• 集成保护二极管
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA6676PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-25
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-2.6
- ID Max (A)
：-11
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：27
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：13.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：20
- Ciss Typ (pF)
：1440
- Package Type
：PQFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
DFN2*2 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP28 |
4473 |
全新原装正品现货可开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
DFN2x2 |
20300 |
ON/安森美原装特价FDMA6676PZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
20+ |
SOD-323 |
4915 |
正规渠道原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
49300 |
只做全新原装进口现货 |
询价 |
