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FDMA6676PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMA6676PZ

功能描述

单 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-11A,13.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 20:00:00

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FDMA6676PZ规格书详情

描述 Description

此设备是超低电阻的 P 沟道 FET。 它专为电源线负载开关应用和反接保护而设计。 它专为爬高至 25V 的电压轨优化。 典型的终端系统包括笔记本电脑、平板电脑和手机。 应用包括电池保护、输入电力线路保护和充电路径保护,其中包括 USB 和其他充电路径。 FDMA6676PZ 具有 25V 的增强 VGS 额定值,专门用于简化安装。 当用作反极性保护,并将栅极接地且漏极连接到 V 输入时,它专门用来支持操作输入电压,可高达 25 V,而无需在栅极上进行外部齐纳保护。 其较小的 2x2x0.8 外形尺寸使其成为移动和空间受限应用的理想选择。

特性 Features

• 最大值 rDS(on) = 13.5 mΩ @ VGS = -10 V
• 25V VGS 扩展运行额定值
• 30V VDS 阻塞
• 2x2mm 外形尺寸
• 薄型 - 0.8 mm 最大值
• 集成保护二极管
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA6676PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-25

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-2.6

  • ID Max (A)

    :-11

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :13.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :20

  • Ciss Typ (pF)

    :1440

  • Package Type

    :PQFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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DFN2*2
100000
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