单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，13.5mΩ

此设备是超低电阻的 P 沟道 FET。 它专为电源线负载开关应用和反接保护而设计。 它专为爬高至 25V 的电压轨优化。 典型的终端系统包括笔记本电脑、平板电脑和手机。 应用包括电池保护、输入电力线路保护和充电路径保护，其中包括 USB 和其他充电路径。 FDMA6676PZ 具有 25V 的增强 VGS 额定值，专门用于简化安装。 当用作反极性保护，并将栅极接地且漏极连接到 V 输入时，它专门用来支持操作输入电压，可高达 25 V，而无需在栅极上进行外部齐纳保护。 其较小的 2x2x0.8 外形尺寸使其成为移动和空间受限应用的理想选择。 • 最大值 rDS(on) = 13.5 mΩ @ VGS = -10 V\n• 25V VGS 扩展运行额定值\n• 30V VDS 阻塞\n• 2x2mm 外形尺寸\n• 薄型 - 0.8 mm 最大值\n• 集成保护二极管\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：676；Package：WDFN-6；MOSFET ??Single, P-Channel, POWERTRENCH

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ONSEMI

安森美半导体

30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O

文件：82.16 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 84A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件：333.16 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

30V N-Channel PowerTrench SyncFET?

General Description This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP/B6676S includes an integrated Schottky

文件：116.99 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体