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FDMA86551L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,7.5A,23mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMA86551L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,7.5A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FDMA86551L规格书详情

描述 Description

该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。低rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。

特性 Features

• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ(需 VGS = 10 V, ID = 7.5 A)
• 最大值 rDS(on) = 35 mΩ(需 VGS = 4.5 V, ID = 6 A)
•薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
•无卤素化合物和锑氧化物
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA86551L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :7.5

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :5.8

  • Ciss Typ (pF)

    :881

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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