首页>FDMB3900AN>规格书详情
FDMB3900AN中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，7.0A，23mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMB3900AN规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
•rDS(on)最大值 = 23 mΩ ，需 VGS = 10 V、ID = 7.0 A
•rDS(on)最大值 = 33 mΩ ，需 VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 手机
技术参数
- 制造商编号
：FDMB3900AN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：7
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7
- Ciss Typ (pF)
：650
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
QFN |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
2165 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
WDFN-8 |
2217 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
原装 |
25+ |
DFN3*3-8L |
20300 |
原装特价FDMB3900AN即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+ |
WDFN-8 |
2165 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
QFN |
230000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
WDFN-8 |
129000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MicroFET-8(3x1 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
