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FDMB3900AN数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMB3900AN规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
•rDS(on)最大值 = 23 mΩ ,需 VGS = 10 V、ID = 7.0 A
•rDS(on)最大值 = 33 mΩ ,需 VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 手机
技术参数
- 制造商编号
:FDMB3900AN
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:20
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:7
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1=Q2=23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:7
- Ciss Typ (pF)
:650
- Package Type
:WDFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2410+ |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
6000 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
WDFN83.3x3.3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
DFN3*3-8L |
20300 |
原装特价FDMB3900AN即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
80000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
WDFN-8 |
129000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
WDFN-8 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |