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FDMB3900AN数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMB3900AN

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,7.0A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 13:10:00

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FDMB3900AN规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

•rDS(on)最大值 = 23 mΩ ,需 VGS = 10 V、ID = 7.0 A
•rDS(on)最大值 = 33 mΩ ,需 VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 手机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMB3900AN

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=33

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :650

  • Package Type

    :WDFN-8

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