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FDMC007N30D中文资料双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书
FDMC007N30D规格书详情
描述 Description
该器件包括两个专用 N 沟道 MOSFET，采用双 Power33 (3 mm x 3 mm MLP) 封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
特性 Features
• Q1: N-ChannelMAX rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 AMax rDS(on) = 13.3 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 9 A
• Q2: N-ChannelMAX rDS(on) = 6.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 16 AMax rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 15 A
• RoHS Compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC007N30D
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：Q1: 10.0
- PD Max (W)
：Q1: 1.9
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：35
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：11
- Ciss Typ (pF)
：1685
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
18+ |
DFN8 |
727 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
WDFN-8 |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
25+ |
DFN8 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON |
23+ |
DFN8 |
727 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
DFN8 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 |
