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FDMC007N30D	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V 该器件包括两个专用 N 沟道 MOSFET，采用双 Power33 (3 mm x 3 mm MLP) 封装。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1: N-ChannelMAX rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 AMax rDS(on) = 13.3 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 9 A\n• Q2: N-ChannelMAX rDS(on) = 6.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 16 AMax rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 15 A\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC3612	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美
FDMC5614P	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMC6676BZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-8	FAIRCHILD/仙童上传：深圳德田科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMC6676BZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳德田科技有限公司	FAIRCHILD/仙童

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
Q1
PD Max (W)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
35
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
11
Ciss Typ (pF)：
1685
Package Type：
WDFN-8

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更多FDMC007N30D供应商更新时间2026-3-17 9:38:00

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