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FDMC5614P

丝印:FDMC5614P;Package:DFN3X3-8L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application ●Load/Power Switching ●Interfacing Switching ●Logic Level Shift

文件:4.13235 Mbytes 页数:6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

FDMC5614P

P-Channel PowerTrench MOSFET

文件:263.37 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDMC5614P

P 沟道 Power Trench® MOSFET -60V,-13.5A,100mΩ

此P沟道MOSFET是采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的电源管理应用进行了优化。 •VGS= -10 V,ID = -5.7A时,最大rDS(on) = 100mΩ\n•VGS = -4.5 V,ID = -4.4A时,最大rDS(on) = 135mΩ\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FYS-5614AX

LED DIGIT DISPLAY

文件:328.58 Kbytes 页数:5 Pages

FORYARD

复洋

FYS-5614BX

LED DIGIT DISPLAY

文件:328.58 Kbytes 页数:5 Pages

FORYARD

复洋

IRKH5614A

THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR

文件:233.54 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -13.5

  • PD Max (W):

    42

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    100

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    15

  • Ciss Typ (pF):

    795

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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更多FDMC5614P供应商 更新时间2025-10-7 16:06:00