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FDMA8051L	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，10A，14mΩ 该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。 •最大值 rDS(on) = 14 mΩ（需 VGS = 10 V, ID = 10 A）\n•最大值 rDS(on) = 18 mΩ（需 VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A）\n•薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装\n•无卤素化合物和锑氧化物\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMA8051L	文件：382.46 Kbytes Page：7 Pages	丝印：051；Package：MicroFET2x2；MOSFET, Single N-Channel, POWERTRENCH 文件：382.46 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
G8051	文件：141.76 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：141.76 Kbytes 页数：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
G8051	文件：141.76 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR 文件：141.76 Kbytes 页数：2 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
G8051	文件：143.71 Kbytes Page：2 Pages	The G8051 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation 文件：143.71 Kbytes 页数：2 Pages	ETL 亚历电子	ETL

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更多FDMA8051L供应商更新时间2025-10-8 14:14:00