N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，66A，7.0mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现通态电阻最小化，同时保持业界最佳的软体二极管 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 7.0 m（VGS = 10 V、ID = 21 A）\n• 最大 rDS(on) = 10.4 m（VGS = 4.5 V、ID = 17 A）\n•支持 5 V 驱动\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n•降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，64A，6.8mΩ

This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has beenoptimized to minimise on on-state resistance and yet maintain in class soft body diode • Shielded Gate MOSFET Technology\n• Max rDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A\n• Max rDS(on) = 11.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A\n• 5 V Drive Capable\n• 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers\n• Lowers switching noise/EMI\n• MSL1 robust package design\n• 100% UIL tested\n• RoHS Compl;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：7N08LDC；Package：PQFN8；MOSFET - N?륝hannel Shielded Gate POWERTRENCH

文件：460.13 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate POWERTRENCH MOSFET

文件：514.03 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel

文件：176.47 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel

文件：176.47 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体