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FDMC012N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V，1.23 mΩ 这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 • 最大 rDS(on) = 1.23 mΩ（VGS = 10 V、ID = 35 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.46 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 32 A）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端为无铅产品\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
VSB012N03MS	文件：1.37954 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.37954 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
BSN012N03LS	文件：520.03 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：520.03 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSN012N03LSI	文件：509.11 Kbytes Page：9 Pages	Optimized for high performance Buck converter 文件：509.11 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
35
PD Max (W)：
64
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1.46
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.23
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
35
Ciss Typ (pF)：
5845
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMC012N03供应商更新时间2026-1-16 17:07:00

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