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FDMC6679AZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC6679AZ

功能描述

P 沟道,Power Trench® MOSFET,-30V,-20A,10mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 19:39:00

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FDMC6679AZ规格书详情

描述 Description

FDMC6679AZ设计用于最大限度地降低负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -11.5 A时,最大rDS(on) = 10 mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -8.5 A时,最大rDS(on) = 18mΩ
•HBM ESD保护等级典型值为8kV(注3)
•为电池应用提供了扩展的VGSS电压范围(-25 V)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC6679AZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-20

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :18

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :44

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :37

  • Ciss Typ (pF)

    :2985

  • Package Type

    :WDFN-8

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