FDMC6675BZ数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

描述 Description

FDMC6675BZ已针对在负载开关应用中损耗最小化进行了设计。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性 Features

•VGS = -10 V，ID = -9.5 A时，最大rDS(on) = 14.4mΩ
•VGS = -4.5 V，ID = -6.9 A时，最大rDS(on) = 27.0mΩ
•HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）
•扩展VGSS范围(-25 V)，适合电池应用
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDMC6675BZ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDMC6675BZ晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。