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FDMC6675BZ	文件：291.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC6675BZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：INTEGRATED CIRCUIT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS6675	文件：358.73 Kbytes Page：6 Pages	-30VP-ChannelMOSFET Features (VGS=-10V) VDS(V)=-30V ID=-11A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6675	文件：247.45 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675	文件：515.87 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675A	文件：107.86 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ	文件：457.63 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ	文件：360.25 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-11A,13mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ-NL	文件：998.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS6675BZ-NL	文件：1.9309 Mbytes Page：5 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-30V,ID=-14A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
FDMC6675BZ
功能描述：
MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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