P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V，-20A，14.4mΩ

FDMC6675BZ已针对在负载开关应用中损耗最小化进行了设计。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。 •VGS = -10 V，ID = -9.5 A时，最大rDS(on) = 14.4mΩ\n•VGS = -4.5 V，ID = -6.9 A时，最大rDS(on) = 27.0mΩ\n•HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）\n•扩展VGSS范围(-25 V)，适合电池应用\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•终端无引线且符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：INTEGRATED CIRCUIT

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Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

文件：247.45 Kbytes 页数：5 Pages

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Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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-30V P-Channel MOSFET

Features (VGS = -10V) VDS (V) =-30V ID = -11 A R DS(ON)

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