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FDMC6675BZ	文件：291.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC6675BZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：INTEGRATED CIRCUIT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BX6675	文件：68.3 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CD6675	文件：76.46 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDIOXIDEPASSIVATED •IN6677AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERCHIPS •SILICONDIOXIDEPASSIVATED •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEPTIONOFSOLDERREFLOW	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL6675	文件：69.7 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL6675	文件：51.88 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDS6675	文件：515.87 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675	文件：247.45 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675	文件：358.73 Kbytes Page：6 Pages	-30VP-ChannelMOSFET Features (VGS=-10V) VDS(V)=-30V ID=-11A RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FDS6675A	文件：107.86 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ	文件：457.63 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ	文件：360.25 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-11A,13mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6675BZ-NL	文件：998.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FP6675	文件：68.3 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
KFF6675A	文件：122.57 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemount,silver(Ag)coatedceramicduplexer	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
KFF6675A	文件：162.94 Kbytes Page：2 Pages	1900MHzPCSDuplexer	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
MAN6675	文件：527.76 Kbytes Page：5 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Brightek (QTB)	QT
MAN6675	文件：551.25 Kbytes Page：6 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MAX6675	文件：130.05 Kbytes Page：8 Pages	Cold-Junction-CompensatedK-Thermocoupleto-DigitalConverter(0째Cto1024째C)	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6675	文件：150.1 Kbytes Page：6 Pages	MAX6675EvaluationKit	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
FDMC6675BZ
功能描述：
MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDMC6675BZ供应商更新时间2024-5-15 15:39:00

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