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FDMC4435BZ中文资料-30V P-Channel Power Trench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMC4435BZ规格书详情
描述 Description
这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。
特性 Features
•Max rDS(on) = 20.0mΩ（在VGS= -10V, ID = -8.5A时）
•在VGS = -4.5V，ID = -6.3A时，最大值rDS(on) = 37.0 mΩ
•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
•rDS(on)极低的高性能沟道技术
•高功率和高电流处理能力
•HBM ESD保护等级7kV典型值>
•100%经过UIL测试
•终端是符合RoHS标准的无铅产品
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC4435BZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-18
- PD Max (W)
：31
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：1540
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
13358 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
QFN8 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
MLP3.3X3.3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN8 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
ON |
25+ |
QFN8 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
DFN3*3 |
504629 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
N/A |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
