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FDMC3612数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC3612

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,100V,12A,110mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 10:31:00

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FDMC3612规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 3.3 A时,最大rDS(on) = 110mΩ
•VGS = 6 V,ID = 3.0 A时,最大rDS(on) = 122mΩ
•薄型 - 最大1 mm,采用Power 33封装
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC3612

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :12

  • PD Max (W)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :110

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.9

  • Ciss Typ (pF)

    :662

  • Package Type

    :WDFN-8

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