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FDMC2610中文资料N 沟道 UltraFET Trench® MOSFET 200V,9.5A,200mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC2610

功能描述

N 沟道 UltraFET Trench® MOSFET 200V,9.5A,200mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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FDMC2610规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 是采用飞兆半导体公司先进的 Power Trench 工艺生产的耐用型栅极版本。 已针对电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•最大 rDS(on) = 200 mΩ(VGS = 10 V、ID = 2.2 A)
•VGS = 6V,ID = 1.5A时,最大rDS(on) = 215 mΩ
•薄型 - 1mm最大值,采用MicroFET 3.3 x 3.3 mm封装
•符合 RoHS 要求

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC2610

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :9.5

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.3

  • Ciss Typ (pF)

    :720

  • Package Type

    :WDFN-8

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