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FDMC2610	文件：370.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench MOSFET(200V, 9.5A, 200mohm)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC2610	文件：384.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC2610_07	文件：384.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMC2610_12	文件：620.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G2610	文件：140.66 Kbytes Page：1 Pages	HighEfficiency,ConstantCurrent36V,1ALEDDriverwithInternalSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GT2610	文件：265.61 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GT2610	文件：269.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GTT2610	文件：273.22 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GTT2610	文件：269.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
HBL2610SW	文件：891.36 Kbytes Page：12 Pages	ManualMotorControllersandDisconnects	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
FDMC2610
功能描述：
MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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