N-Channel UltraFET Trench MOSFET(200V, 9.5A, 200mohm)

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓

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N 沟道 UltraFET Trench® MOSFET 200V，9.5A，200mΩ

此 N 沟道 MOSFET 是采用飞兆半导体公司先进的 Power Trench 工艺生产的耐用型栅极版本。 已针对电源管理应用进行了优化。 •最大 rDS(on) = 200 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2.2 A）\n•VGS = 6V，ID = 1.5A时，最大rDS(on) = 215 mΩ\n•薄型 - 1mm最大值，采用MicroFET 3.3 x 3.3 mm封装\n•符合 RoHS 要求;

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安森美半导体

N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓

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N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 9.5A, 200m廓

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