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FDMC4D9P20X8中文资料P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-75A,4.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC4D9P20X8

功能描述

P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-75A,4.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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FDMC4D9P20X8规格书详情

描述 Description

This P−Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.

特性 Features

• Max rDS(on) = 4.9 m\u0002 at VGS = −4.5 V, ID = −18 A
• Max rDS(on) = 16.4 m\u0002 at VGS = −1.8 V, ID = −9 A
• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
• High Power and Current Handling Capability in a Widely UsedSurface Mount Package
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

• Load Switch
• Battery Management
• Power Management
• Reverse Polarity Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC4D9P20X8

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :±12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.6

  • ID Max (A)

    :-75

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :6.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :78

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :7535

  • Package Type

    :PQFN-8

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