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FDMC5614P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC5614P

功能描述

P 沟道 Power Trench® MOSFET -60V,-13.5A,100mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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FDMC5614P规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET是采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•VGS= -10 V,ID = -5.7A时,最大rDS(on) = 100mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -4.4A时,最大rDS(on) = 135mΩ
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC5614P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-13.5

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :100

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :795

  • Package Type

    :WDFN-8

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