P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，4mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。 • 最大值 rDS(on) = 4 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -18 A 时）\n• 最大值 rDS(on) = 5.7 mΩ（VGS = -2.5 V,ID = -16 A 时）\n• 最大值 rDS(on) =11.5 mΩ（VGS = -1.8 V, ID = -11 A 时）\n• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n• 无铅并符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

HARDWARE DATASHEET(External Architecture)

文件：4.61787 Mbytes 页数：287 Pages

NUVOTON

新唐科技

Constant ON-time control

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Dual step-down controller with adjustable voltages, adjustable LDO and auxiliary charge pump controller for notebook

文件：1.06568 Mbytes 页数：50 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体