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FDMC6688P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC6688P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-56A,6.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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FDMC6688P规格书详情

描述 Description

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性 Features

• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -14 A 时)
• 最大值 rDS(on) = 9.8 mΩ(VGS = -2.5 V, ID = -11 A 时)
• 最大值 rDS(on) = 20 mΩ(VGS = -1.8 V、ID = -9 A 时)
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
• 无铅并符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC6688P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-56

  • PD Max (W)

    :30

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :9.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :44

  • Ciss Typ (pF)

    :4956

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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