FDMC6688P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，6.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC6688P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -14 A 时）
• 最大值 rDS(on) = 9.8 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -11 A 时）
• 最大值 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = -1.8 V、ID = -9 A 时）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 无铅并符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC6688P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-56
- PD Max (W)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：9.8
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：44
- Ciss Typ (pF)
：4956
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
QFN-8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN3X3 |
3678 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DFN3X3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DFN3X3 |
7000 |
询价 | |||
ON |
24+ |
QFN |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
SMD |
51 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON |
22+ |
QFN8 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 |
