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FDMC7660DC数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC7660DC

功能描述

N 沟道,双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET,30V,40A,2.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:36:00

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FDMC7660DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

•Dual CoolÞ 顶侧冷却 PQFN 封装
•最大 rDS(on) = 2.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 22 A)
•VGS = 4.5 V,ID = 18 A时,Max rDS(on) = 3.3 mΩ
•极低 rDS(on)的高性能技术
•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC7660DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :40

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :3885

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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QFN
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