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FDMC6696P中文资料P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -75A, 4.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC6696P

功能描述

P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -75A, 4.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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FDMC6696P规格书详情

描述 Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been optimized for rDS(ON), switching performance and ruggedness.

特性 Features

• Max rDS(on) = 4.9 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -18 A
• Max rDS(on) = 6.5 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -11 A
• Max rDS(on) =16.4 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -9 A
• High performance trench technology for extremely low rDS(on)
• High power and current handling capability in a widely used surface mount package
• Lead-free and RoHS Compliant

应用 Application

• ° Load Switch°Battery Management°Power Management°Reverse Polarity Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC6696P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
24+
NA/
3987
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DFN
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ON/安森美
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
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