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FDMC7660S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC7660S

功能描述

N 沟道,Power Trench® SyncFET™,30V,20A,2.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 19:39:00

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FDMC7660S规格书详情

描述 Description

FDMC7660S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的 rDS(on)。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

特性 Features

• 最大值 rDS(on)=2.2 mΩ(需 VGS=10 V、ID=20 A
• 最大值 rDS(on)=2.95 mΩ(需 VGS=4.5 V、ID=18 A
•高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端无引线且符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC7660S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.95

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :3250

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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