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FDMC8010ET30中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，174A，1.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8010ET30规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。
特性 Features
•TJ额定值扩展：175°C
• 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A）
• 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•终端无引线且符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC8010ET30
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：174
- PD Max (W)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1.8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：18
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：32
- Ciss Typ (pF)
：4405
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
FAIRCHILD/ON |
24+ |
NA/ |
12224 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFNB |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FAIRCHILD/ON |
24+ |
8POWER33 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
QFN |
6698 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
