FDMC8010中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,75A,1.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC8010规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。
特性 Features
• Max RDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A
• Max RDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 25 A
• High performance technology for extremely low RDS(on)
• Termination is Lead-free and RoHS Compliant
应用 Application
• AC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMC8010
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:75
- PD Max (W)
:54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:1.8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:32
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:32
- Ciss Typ (pF)
:4405
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1932+ |
QFN |
1685 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装,正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
DFN8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ONSemi |
2126 |
PQFN-8 |
26900 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
ON |
2023+ |
PQFN-8 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER33 |
9000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
PQFN-8 |
55740 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
ON |
23+ |
QFN-8 |
4994 |
原厂原装正品 |
询价 |