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FDMC8010中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,75A,1.3mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8010

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,75A,1.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:06:00

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FDMC8010规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。

特性 Features

• Max RDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A
• Max RDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 25 A
• High performance technology for extremely low RDS(on)
• Termination is Lead-free and RoHS Compliant

应用 Application

• AC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8010

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :75

  • PD Max (W)

    :54

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :32

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :32

  • Ciss Typ (pF)

    :4405

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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