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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

丝印：FDMC8010ET；Package：Power33；MOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH

文件：577.41 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，75A，1.3mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。 • Max RDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A\n• Max RDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 25 A\n• High performance technology for extremely low RDS(on)\n• Termination is Lead-free and RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 Dual CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET 30V，157A，1.28mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient ther • Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package\n• Max rDS(on) = 1.28 mΩ at VGS = 10 V, ID = 37 A\n• Max rDS(on) = 1.74 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 32 A\n• High Performance Technology for Extremely Low rDS(on)\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，174A，1.3mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。 •TJ额定值扩展：175°C\n• 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A）\n• 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A）\n• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端无引线且符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体