N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，174A，1.3mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。 •TJ额定值扩展：175°C\n• 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A）\n• 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A）\n• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端无引线且符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDMC8010ET；Package：Power33；MOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH

文件：577.41 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ON
Power-33-8

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上传：深圳市芯巴巴科技有限公司

FSC
DFN-8

FSC

上传：深圳市鹏越电子公司

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N/A

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