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FDMC8321LDC中文资料N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,108A,2.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8321LDC

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,40V,108A,2.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:26:00

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FDMC8321LDC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

• Dual CoolTM 顶侧冷却PQFN封装
• 最大值 rDS(on) = 2.5 mΩ(VGS = 10 V, ID = 27 A时)
• 最大值 rDS(on) = 4.1 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 21 A时)
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8321LDC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :108

  • PD Max (W)

    :56

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :2832

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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