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FDMC8026S中文资料30V N沟道PowerTrench® SyncFET™数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8026S

功能描述

30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:06:00

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FDMC8026S规格书详情

描述 Description

FDMC8026S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,在保持出色开关性能的同时,还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。

特性 Features

•VGS = 10 V且ID = 19A时,最大rDS(on) = 4.4 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 17.5 A时,最大rDS(on) = 5.2 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•SyncFET肖特基体二极管
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8026S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :21

  • PD Max (W)

    :36

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :2380

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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