30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDMC8026S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。 •VGS = 10 V且ID = 19A时，最大rDS(on) = 4.4 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 17.5 A时，最大rDS(on) = 5.2 mΩ \n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM

文件：386.75 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Advanced package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency

文件：294.88 Kbytes 页数：8 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·High Speed Switching with Low Capacitances ·Avalanche Ruggednes APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·Batterry Chargers

文件：399.12 Kbytes 页数：4 Pages

ISC

无锡固电

Compact Synchronous Buck Regulators

文件：1.41145 Mbytes 页数：23 Pages

RENESAS

瑞萨