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FDMC8200S中文资料双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10mΩ,20mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC8200S

功能描述

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10mΩ,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:26:00

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FDMC8200S规格书详情

描述 Description

该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

特性 Features

• Q1: N 沟道
•最大值rDS(on) = 32 mΩ( VGS = 4.5 V, ID = 5 A)Q2: N 沟道
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 笔记本电脑

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC8200S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 6.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 32

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.2

  • Ciss Typ (pF)

    :1080

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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