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FDMC8200S

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10mΩ,20mΩ

该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1: N 沟道 \n•最大值rDS(on) = 32 mΩ( VGS = 4.5 V, ID = 5 A)Q2: N 沟道 \n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMC8200S

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 10 m廓, 20 m廓

文件:467.54 Kbytes 页数:12 Pages

Fairchild

仙童半导体

FM8200C

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

文件:503.87 Kbytes 页数:6 Pages

RECTRON

丽正国际

GFG-8200A

FUNCTION GENERATORS

文件:877.86 Kbytes 页数:2 Pages

GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd.

固纬电子固纬电子实业股份有限公司

GLSVR8200

SURFCOIL짰 SMT INDUCTORS AND TRANSFORMERS (PROFESSIONAL GRADE)

文件:765.84 Kbytes 页数:12 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    Q1

  • PD Max (W):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    7.2

  • Ciss Typ (pF):

    1080

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMC8200S供应商 更新时间2025-12-14 15:19:00