| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
FDMC8200S | 双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,10mΩ,20mΩ 该器件包括两个专用N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1: N 沟道 \n•最大值rDS(on) = 32 mΩ( VGS = 4.5 V, ID = 5 A)Q2: N 沟道 \n•符合 RoHS 标准; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FDMC8200S | Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 10 m廓, 20 m廓 文件:467.54 Kbytes 页数:12 Pages | Fairchild 仙童半导体 | Fairchild | |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件:503.87 Kbytes 页数:6 Pages | RECTRON 丽正国际 | RECTRON | ||
FUNCTION GENERATORS 文件:877.86 Kbytes 页数:2 Pages | GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固纬电子固纬电子实业股份有限公司 | GWINSTEK | ||
SURFCOIL짰 SMT INDUCTORS AND TRANSFORMERS (PROFESSIONAL GRADE) 文件:765.84 Kbytes 页数:12 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
N-Channel
- Configuration:
Dual
- V(BR)DSS Min (V):
30
- VGS Max (V):
20
- VGS(th) Max (V):
3
- ID Max (A):
Q1
- PD Max (W):
Q1
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):
Q1
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
Q1
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
7.2
- Ciss Typ (pF):
1080
- Package Type:
WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
60000 |
原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
POWER-33 |
34770 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMC8200S即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
18+ |
QFN |
295 |
全新原装 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
Power33-8 |
14696 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
DFN-8 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
DFN3030 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 |
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