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FDMC86116LZ中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86116LZ规格书详情
描述 Description
这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 为提高ESD电压，增加了G-S齐纳管。
特性 Features
• 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时，最大RDS(on) = 103 mΩ
• 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大RDS(on) = 153 mΩ
• HBM ESD保护等级>3 KV典型值
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86116LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.2
- ID Max (A)
：7.5
- PD Max (W)
：19
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：153
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：103
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2
- Ciss Typ (pF)
：232
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN8 |
9215 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
8-MLP(Power33) |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
8-MLP(Power33) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
QFN |
23797 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
20+ |
QFN8 |
10323 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 |
