FDMC86012中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，88A，2.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86012规格书详情
描述 Description
该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。 使用MOSFET结构的新技术，栅极电荷和电容的各种元件经优化以降低开关损耗。 低栅极电阻和极低的米勒电荷兼具自适应和固定死区时间栅极驱动电路的卓越性能。 保持了极低的 rDS(on)以提供子逻辑电平器件。
特性 Features
•最大值 rDS(on) = 2.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 23 A 时）
•最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 17.5 A 时）
•高性能技术可实现极低的rDS(on)
•终端为无铅产品
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86012
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：88
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：4.7
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：2.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：3625
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON |
两年内 |
NA |
3000 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN-8 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
PQFN-8 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
PQFN-8 |
3000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
