N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，88A，2.7mΩ

该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。 使用MOSFET结构的新技术，栅极电荷和电容的各种元件经优化以降低开关损耗。 低栅极电阻和极低的米勒电荷兼具自适应和固定死区时间栅极驱动电路的卓越性能。 保持了极低的 rDS(on)以提供子逻辑电平器件。 •最大值 rDS(on) = 2.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 23 A 时）\n•最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 17.5 A 时）\n•高性能技术可实现极低的rDS(on)\n•终端为无铅产品\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 88 A, 2.7 m

文件：251.32 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

28 (7/36) AWG Tinned Copper

文件：412.45 Kbytes 页数：4 Pages

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ON
Power-33-8

ON

上传：深圳市芯巴巴科技有限公司

FSC
DFN-8

FSC

上传：深圳市鹏越电子公司