丝印：FDMC86116Z；Package：WDFN8；N-Channel Power MOSFET

Features • Max RDS(on) = 103 m at VGS = 10 V, ID = 3.3 A • Max RDS(on) = 153 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A • HBM ESD Protection Level > 3 kV Typical (Note 1) • 100 UIL Tested • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • DC−DC Conversion General Description This N

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m廓

文件：347.31 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：FDMC86116Z；Package：WDFN8；N-Channel Power MOSFET

Features • Max RDS(on) = 103 m at VGS = 10 V, ID = 3.3 A • Max RDS(on) = 153 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A • HBM ESD Protection Level > 3 kV Typical (Note 1) • 100 UIL Tested • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • DC−DC Conversion General Description This N

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 为提高ESD电压，增加了G-S齐纳管。 • 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时，最大RDS(on) = 103 mΩ\n• 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大RDS(on) = 153 mΩ\n• HBM ESD保护等级>3 KV典型值\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体