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FDMC86102L中文资料100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMC86102L规格书详情
描述 Description
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS=10 V、ID=7 A 时）
• 最大 rDS(on) = 34 mΩ（VGS=4.5 V、ID=5.5 A 时）
• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86102L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：18
- PD Max (W)
：41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：34
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.3
- Ciss Typ (pF)
：999
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
MLP-8 |
30000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
QFN |
10880 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
8-PowerWDFN |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
24+ |
NULL |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
PowerWDFN-8 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
