首页>FDMC86139P>规格书详情
FDMC86139P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86139P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 67 mΩ（VGS = -10 V、ID = -4.4 A 时）
• 最大 rDS(on) = 89 mΩ（VGS = -6 V、ID = -3.6 A 时）
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86139P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-15
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：67
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.8
- Ciss Typ (pF)
：1001
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
Power-33-8 |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
Power-33-8 |
55740 |
询价 | |||
ONSEMI |
25+ |
QFN |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
MLP-8 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMC86139P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Power-33-8 |
26880 |
公司只有原装 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
60000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 |
