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FDMC86139P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86139P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 67 mΩ（VGS = -10 V、ID = -4.4 A 时）
• 最大 rDS(on) = 89 mΩ（VGS = -6 V、ID = -3.6 A 时）
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86139P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-15
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：67
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.8
- Ciss Typ (pF)
：1001
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN-8 |
4500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
QFN |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONN |
2324+ |
2890 |
原装正品,超低价出售 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
30000 |
进口原装现货 假一罚万 |
询价 |
