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FDMC86139P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-15A，67mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86139P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 67 mΩ（VGS = -10 V、ID = -4.4 A 时）
• 最大 rDS(on) = 89 mΩ（VGS = -6 V、ID = -3.6 A 时）
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86139P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-15
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：67
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.8
- Ciss Typ (pF)
：1001
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
QFN8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
QFN |
3000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
12000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
Power-33-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
