FDMC86184数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86184规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 21 A）
• 最大值 rDS(on) = 24.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时）
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
• MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86184
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：57
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1490
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
PQFN |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
PQFN-8 |
55740 |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
