FDMC86184中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，53 A，8.5 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86184规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 21 A）
• 最大值 rDS(on) = 24.8 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时）
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
• MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86184
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：57
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1490
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
PQFN3X3 |
8288 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
PQFN |
51666 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON-SEMI |
22+ |
N/A |
33000 |
原装正品 香港现货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
WDFN8 |
35 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
DIP-8 |
69820 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
1644+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
