FDMC86183数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86183规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 12.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 16 A）
• 最大值 rDS(on) = 34.6 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
• 降低了开关噪声/EMI
• MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86183
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：47
- PD Max (W)
：52
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：12.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：1080
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
19+ |
QFN |
22103 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
QFN |
2930 |
原装现货，优势库存 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
1632+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
QFN |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 |
