N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，47 A，12.8 mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 12.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 16 A）\n• 最大值 rDS(on) = 34.6 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A）\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench

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安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

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安森美半导体

18 (41/34) AWG Tinned Copper

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