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FDMC86160数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC86160

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,43A,14mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:20:00

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FDMC86160规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用,例如高性能 VRM、POL和 Oring 功能。

特性 Features

•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V,ID = 9 A时,最大rDS(on) = 14mΩ
•最大 rDS(on) = 23 mΩ(VGS = 6 V、ID = 7 A)
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC86160

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :43

  • PD Max (W)

    :54

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :14

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.8

  • Ciss Typ (pF)

    :968

  • Package Type

    :PQFN-8

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