FDMC86160中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86160规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用，例如高性能 VRM、POL和 Oring 功能。
特性 Features
•栅极屏蔽 MOSFET 技术
•VGS = 10V，ID = 9 A时，最大rDS(on) = 14mΩ
•最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7 A）
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86160
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：43
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：14
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.8
- Ciss Typ (pF)
：968
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
PQFN3X3 |
8928 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FSC |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
Power-33 |
9550 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON |
24+ |
POWER33 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
24+ |
SOT23 |
6000 |
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
POWER33 |
2000 |
原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD/ON |
23+ |
DFN3X3-8 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
