丝印：APG40N10NF；Package：DFN5X6-8L；Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel

Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated DC Synchronous-rectification application

文件：1.9095 Mbytes 页数：6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm

文件：279.71 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，43A，14mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用，例如高性能 VRM、POL和 Oring 功能。 •栅极屏蔽 MOSFET 技术\n•VGS = 10V，ID = 9 A时，最大rDS(on) = 14mΩ\n•最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7 A）\n•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术\n•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，43A，14mΩ

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low RDS(on) is required in small spaces suc • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A时）\n• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A时）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体